3.3 DRAM存储器
3.3.1 DRAM存储单元的记忆原理

输入和输出不会同时发生
3.3.2 DRAM芯片的逻辑结构
集成度更高 外围电路更复杂
3.3.3 DRAM读/写周期、刷新周期
读写周期时间相等
不断进行刷新。
不能准确的预知读操作的频率,定期刷星能够有效的保证数据的完整性。
分散式刷新
3.3.4存储器的扩充
DDR4:(1)使用传统SE信号
(2)基于差分信号技术
叨叨几句... NOTHING