第3章 多层次的存储器（3）

发布于 2021-03-26  478 次阅读

3.3 DRAM存储器

3.3.1 DRAM存储单元的记忆原理

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输入和输出不会同时发生

3.3.2 DRAM芯片的逻辑结构

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集成度更高 外围电路更复杂
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3.3.3 DRAM读/写周期、刷新周期

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读写周期时间相等
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不断进行刷新。
不能准确的预知读操作的频率，定期刷星能够有效的保证数据的完整性。
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分散式刷新
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3.3.4存储器的扩充

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DDR4：（1）使用传统SE信号
（2）基于差分信号技术

赏

擦肩而过的概率